Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP9NK60Z, 600В, 4,4А, TO220-3 (набір 10 шт.)
Код: TM156913
В наявності
3 090 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 515 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4.4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 950 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | SuperMesh™ |
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET STP9NK60Z від STMicroelectronics у корпусі TO220-3. Монтаж: THT. Максимальна напруга дрен-витік: 600 В, максимальний струм дрену: 4,4 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрен-витік: 600 В
- Струм дрену: 4,4 А
- Розсіювана потужність: 125 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Технологія: SuperMesh™, версія ESD
- Кількість у наборі: 10 шт.
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна розсіювана потужність становить 125 Вт, а опір у стані провідності — 0,95 Ом. Напруга затвор-витік обмежена ±30 В.
Технологія та монтажКомпонент виготовлений за технологією SuperMesh™. Компонент має версію ESD. Монтаж виконується методом виводів у отвори (THT).
Комплектація та корпусУ пакуванні міститься 10 одиниць транзисторів STP9NK60Z у корпусі TO220-3.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
