Транзистор польовий IRFB59N10D
Код: A118202
Готово до відправки
10+ купили
149.64 ₴
Замовлення у продавця — від 200 ₴
Доставка
Нова Пошта
Оплата та гарантії
ПісляплатаНова Пошта, Укрпошта
Оплата на рахунок
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | IR |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Корпус | TO-220 |
|---|---|
| Число каналів | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 30 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 100 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,025 |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 3-5,5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 59 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 200 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 16 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 20 |
N-ch; 100V; 59A; 200W; 0.025 Ohm
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, імпульсні джерела живлення, драйвери та силові комутаційні вузли.
Технічні характеристики
- Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
- Корпус: TO-220
- Монтаж: THT (вивідний монтаж)
- Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 100 В
- Постійний струм стоку (ID), за карткою: 59 А
- Потужність розсіювання (PD), за карткою: 200 Вт
- Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 0.025 Ом
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота в інверторах
- Робота в імпульсних джерелах живлення
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Силова або сигнальна комутація
Розпіновка
Корпус TO-220. Якщо дивитися на сторону з маркуванням, виводами вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) Металева задня пластина/фланець у звичайному неізольованому корпусі зазвичай з'єднана з Drain.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
