
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 115 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 40 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGP10M65DF2 у корпусі TO220AB має напругу колектор-емітер 650 В. Комплект із 20 одиниць забезпечує необхідну кількість компонентів для серійного виробництва або ремонту обладнання.
Транзистор працює з напругою колектор-емітер 650 В та номінальним струмом колектора 10 А. Імпульсний струм може досягати 40 А.
Вбудований діод та монтажКомпонент має інтегрований антипаралельний діод. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори). Корпус TO220AB. Розсіювана потужність до 115 Вт.
Зручний комплект для виробництваУпаковка містить 20 транзисторів.