Транзистор IGBT STMicroelectronics STGD10NC60KDT4, 600 В, 10 А, DPAK (20 шт.)
Код: TM037111
В наявності
3 620 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 603 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 62 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 10 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGD10NC60KDT4 у корпусі DPAK для монтажу на поверхню. Комплект складається з 20 одиниць, призначених для електронних схем із навантаженням до 600 В та струмом колектора 10 А.
- Напруга колектор-емітер: 600 В
- Струм колектора: 10 А (30 А в імпульсі)
- Розсіювана потужність: 62 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Інтегрований антипаралельний діод
- Комплектація: 20 шт.
Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 600 В та постійний струм колектора 10 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 30 А. Максимальна розсіювана потужність становить 62 Вт.
Корпус та монтажКомпонент виконаний у поверхневому корпусі DPAK. Монтаж здійснюється технологією SMD. Напруга на затворі обмежена діапазоном ±20 В, а заряд затвора дорівнює 19 нКл.
Особливості конструкціїУ корпусі інтегрований антипаралельний діод.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
