
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 70 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 550 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | IPAK |
| Технологія | MDmesh™ II |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STU10NM60N — це польовий транзистор з каналом, що збагачується, у корпусі IPAK. Прилад розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В та струм стоку 5 А.
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 600 В та максимально допустимий струм стоку 5 А. Максимальна потужність розсіювання становить 70 Вт, а опір у відкритому стані (Rds) — 550 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена значенням 25 В.
Конструкція та монтажПрилад виготовлений за технологією MDmesh™ II та має вставний тип монтажу. Корпус IPAK забезпечує стандартне компонування для друкованих плат. Транзистор є однополярним (unipolarny) з каналом, що збагачується.
КомплектаціяУ комплекті поставляється 20 шт. транзисторів.