Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK90ZT4, 900 В, 3 А, DPAK (набір 20 шт.)
Код: TM020800
В наявності
3 510 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 585 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 12 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 900 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4800 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK90ZT4 — польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі DPAK. Комплект складається з 20 одиниць.
- Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
- Напруга стік-витік: 900 В
- Струм стоку: 3 А
- Потужність розсіювання: 12 Вт
- Корпус: DPAK
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Максимально допустима напруга стік-витік становить 900 В, а напруга затвор-витік — 30 В. Максимальний струм стоку дорівнює 3 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 4800 мОм.
Потужність та конструкціяМаксимальна потужність розсіювання — 12 Вт. Транзистор виготовлений за технологією SuperMesh™. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Корпус: DPAK.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
