
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 450 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 43 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 30 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | MDmesh™ / / Plus |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW70N60M2 — це напівпровідниковий прилад для електронних схем. Модель виготовлена за технологією MDmesh™ II Plus.
Транзистор розрахований на максимальний струм стоку 43 А та розсіювану потужність 450 Вт.
Напруга та ізоляціяМаксимальна напруга стік-витік становить 650 В. Напруга затвор-витік обмежена ±25 В.
Монтаж та корпусКомпонент виконаний у корпусі TO247 з виводами для монтажу на плату (THT).
Версія ESDКомпонент має версію ESD, що вказує на специфікацію ESD. Опір у стані провідності становить 30 мОм. Полярність транзистора — уніполярна, тип каналу — збагачуваний.