Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP8N120K5, 1200 В, 3,5 А, TO220-3 (5 шт.)
Код: TM037176
В наявності
3 130 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 522 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 130 Вт |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ K5 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP8N120K5 — це польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією MDmesh™ K5.
- Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
- Максимальна напруга: 1200 В
- Струм стоку: 3,5 А (імпульсний 12 А)
- Потужність розсіювання: 130 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж вставний
- Комплектація: 5 шт.
Максимальна напруга стоку становить 1200 В, що визначає робочий діапазон пристрою. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 3,5 А, а імпульсний струм — 12 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 2000 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 130 Вт.
Конструкція та монтажТранзистор має тип монтажу «Вставний» і виконаний у корпусі TO220-3. Версія пристрою позначена як ESD. Поляризація транзистора — уніполярна.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
