
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 468 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 225 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Тип транзистора: IGBT Комплект складається з 5 одиниць. Максимальна напруга колектор-емітер становить 650 В, а максимальний струм колектора — 225 А.
Пристрій має максимальну напругу колектор-емітер 650 В та максимальний струм колектора 225 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 468 Вт. Заряд затвора становить 225 нКл, а допустима напруга затвор-емітер — ±20 В.
Конструкція та монтажТранзистор виготовлений у корпусі TO247-3 з вставним типом монтажу. Вбудований антипаралельний діод є частиною конструкції напівпровідникового елемента.
КомплектаціяУ комплекті поставки 5 шт.