
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 60 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 780 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP9N60M2 — польовий транзистор з каналом, що збагачується, у корпусі TO220-3. Комплект складається з 30 штук.
Максимальна напруга стік-витік становить 600 В, а максимально допустимий струм стоку — 5,5 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 780 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 60 Вт.
Конструкція та монтажТранзистор виготовлений за технологією MDmesh™. Корпус TO220-3 забезпечує вставний тип монтажу (THT). Поляризація — уніполярна, тип транзистора — польовий. Канал транзистора — збагачуваний (enhancement mode).