Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP8NK80Z, 800В, 3,9А, TO220-3 (набір 20 шт.)
Код: TM020939
В наявності
3 820 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 637 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 140 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | SuperMesh™ |
Набір із 20 транзисторів STMicroelectronics STP8NK80Z — це потужні N-MOSFET компоненти для електронних схем високої напруги. Модель поєднує високу пробивну напругу 800 В та струм 3,9 А.
- Набір із 20 транзисторів STP8NK80Z
- Максимальна напруга дрена-джерела 800 В
- Струм дрена 3,9 А
- Розсіювана потужність 140 Вт
- Корпус TO220-3 для монтажу THT
- Технологія SuperMesh™ та захист ESD
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 800 В. Компонент виготовлений за технологією SuperMesh™. Компонент має версію ESD.
Ефективне розсіювання потужностіМаксимальна розсіювана потужність становить 140 Вт. Опір у стані провідності становить 1,5 Ом.
Зручний монтаж та комплектаціяКомпоненти виконані в корпусі TO220-3 з технологією монтажу THT. У комплекті постачається 20 штук. Полярність unipolarny (уніполярний) та канал типу wzbogacany (збагачуваний).
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
