
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 950 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1350 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | SuperMESH3™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7N95K3 — це напівпровідниковий прилад із технологією SuperMESH3™, призначений для роботи у високовольтних схемах. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220-3, що забезпечує зручний монтаж на плату.
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 950 В. Максимальна розсіювана потужність становить 150 Вт, а струм дрена — 4,5 А.
Технологія SuperMESH3™Використання технології SuperMESH3™ забезпечує низький опір у стані провідності, який дорівнює 1,35 Ом. Транзистор має версію ESD.
Зручний монтаж та комплектаціяПрилад має тип монтажу THT (скрізний). Корпус TO220-3 є стандартом для силових транзисторів. Товар продається набором із 10 штук.
Транзистор STP7N95K3 призначений для електронних схем із зазначеними параметрами. Напруга затвора-джерела становить ±30 В, а канал є збагачуваним.