Транзистор P-MOSFET STMicroelectronics STD35P6LLF6, DPAK, 20 шт.
Код: TM020798
В наявності
3 930 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 655 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 70 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Транзистор P-MOSFET STMicroelectronics STD35P6LLF6 у корпусі DPAK. Це польовий транзистор з максимальним струмом -25 А та потужністю розсіювання 70 Вт. У комплекті поставляється 20 штук.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Корпус: DPAK
- Максимальна потужність розсіювання: 70 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 36 мОм
- Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 В
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом типу «wzbogacany» (збагачений) та уніполярною полярністю. Максимальна потужність розсіювання становить 70 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 36 мОм.
Конструкція та монтажКомпонент виконаний у корпусі DPAK. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Максимально допустима напруга затвор-витік (Vgs) становить 20 В.
КомплектаціяУ наборі міститься 20 транзисторів.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
