Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD18N65M5, 650 В, 9,4 А, DPAK (набір 20 шт.)
Код: TM020795
В наявності
3 360 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 560 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 9.4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 220 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD18N65M5 — це польовий транзистор з каналом, що збагачується, у корпусі DPAK. Модель розрахована на максимальну напругу стік-витік 650 В та струм стоку 9,4 А при потужності розсіювання 110 Вт.
- Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
- Максимальна напруга стік-витік: 650 В
- Максимальний струм стоку: 9,4 А
- Потужність розсіювання: 110 Вт
- Опір у відкритому стані: 220 мОм
- Корпус: DPAK (поверхневий монтаж)
- Кількість у наборі: 20 шт.
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 650 В та максимально допустимий струм стоку 9,4 А. Максимальна потужність розсіювання становить 110 Вт, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 220 мОм. Напруга затвор-витік обмежена значенням 25 В.
Конструкція та монтажПристрій виготовлений у поверхневому корпусі DPAK. Використовується технологія SuperMesh™. Версія компонента позначена як ESD.
Комплектація транзисторів.Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
