Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWT40HP65FB, 650 В, 40 А, TO3P (набір 10 шт.)
Код: TM037120
В наявності
3 140 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 523 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 283 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO3P |
Транзистор IGBT виробництва STMicroelectronics, модель STGWT40HP65FB. Транзистор у корпусі TO3P з максимальною напругою колектор-емітер 650 В. У комплекті поставляється 10 одиниць.
- Тип транзистора: IGBT (польовий)
- Максимальна напруга колектор-емітер: 650 В
- Максимальна потужність розсіювання: 283 Вт
- Корпус: TO3P, вставний монтаж
- Інтегрований антипаралельний діод
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Максимальна напруга колектор-емітер становить 650 В, що визначає робочий діапазон пристрою. Максимально допустимий струм колектора зазначений у назві як 40 А, проте у технічних характеристиках вказано значення 160 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 283 Вт. Напруга між затвором та емітером обмежена величиною ±30 В.
Конструкція та монтажТранзистор виготовлений у корпусі TO3P з вставним типом монтажу. Пристрій є польовим транзистором (IGBT) з інтегрованим антипаралельним діодом. Заряд затвора становить 0,21 мкКл.
КомплектаціяУ наборі міститься 10 транзисторів STGWT40HP65FB.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
