Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7NK80Z, 800В, 3,3А, TO220-3, SuperMesh (набір 10 шт.)
Код: TM020934
В наявності
3 200 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 533 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1800 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7NK80Z — це уніполярний компонент із технологією SuperMesh™, з максимальною напругою дрена-джерела 800 В. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220-3, що забезпечує зручний монтаж на друковану плату.
- Напруга дрена-джерела: 800 В
- Струм дрена: 3,3 А
- Розсіювана потужність: 125 Вт
- Корпус: TO220-3 (THT монтаж)
- Технологія: SuperMesh™
- Захист: ESD
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 800 В,. Максимальний струм дрена становить 3,3 А, а розсіювана потужність — 125 Вт.
Технологія SuperMesh™Компонент виготовлений за технологією SuperMesh™. Опір у стані провідності дорівнює 1,8 Ом,
Захист від статичного розрядуКомпонент має версію ESD, що вказує на версію ESD.
Монтаж та корпусТранзистор виконаний у корпусі TO220-3 із виводами для скрізного монтажу (THT).
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
