
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1800 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7NK80ZFP — це польовий транзистор з каналом збагачення (enhancement) у корпусі TO220FP. Модель має максимальну напругу стік-витік 800 В та струм стоку 3,3 А. У комплекті поставляється 10 одиниць.
Транзистор розрахований на високу напругу: максимально допустима напруга стік-витік становить 800 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 3,3 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 1800 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 30 Вт.
Корпус та технологіяВиріб виконаний у корпусі TO220FP з вставним типом монтажу. Транзистор є однополярним (unipolar) та має версію ESD. Використовується технологія SuperMesh™.
Комплектація та призначенняУ наборі 10 транзисторів.