Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD12NF06T4, 60 В, 8,5 А, DPAK (набір 20 шт.)
Код: TM020790
В наявності
3 270 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 545 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Польовий транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD12NF06T4 у корпусі DPAK. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 8,5 А.
- Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Максимальний струм стоку: 8,5 А
- Потужність розсіювання: 30 Вт
- Опір у відкритому стані: 100 mOm
- Корпус: DPAK, монтаж поверхневий
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом типу «wzbogacany» (збагачений) та уніполярною поляризацією. Максимально допустима напруга стік-витік становить 60 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний струм стоку дорівнює 8,5 А.
Опір та потужністьОпір у відкритому стані (Rds) — 100 mOm. Максимальна потужність розсіювання транзистора — 30 Вт.
Технологія та версіяВиробник використовує технологію SuperMesh™. Версія компонента позначена як ESD.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
