Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP18NM60N, 600 В, 8.2 А, TO220-3 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP18NM60N — це польовий транзистор з технологією MDmesh™ II у корпусі TO220-3. Максимальна напруга стік-витік становить 600 В, а струм стоку — 8.2 А. У комплекті поставляється 10 одиниць.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 8.2 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 285 мОм
• Корпус: TO220-3
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В та напругу затвор-витік 25 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 8.2 А, а опір у відкритому стані (Rds) — 285 мОм. Максимальна потужність розсіювання становить 110 Вт.

Пристрій виготовлений за технологією MDmesh™ II та має вставний тип монтажу. Корпус: TO220-3. Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом.

У наборі міститься 10 транзисторів STP18NM60N. Імпульсний струм стоку становить 52 А, а заряд затвора — 35 нКл.