Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF33N60M2, 600В, 26А, TO220FP (набір 10 шт.)
Код: TM020816
В наявності
3 860 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 643 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 35 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 26 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 108 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | MDmesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF33N60M2 — це польовий транзистор з каналом, що збагачується, призначений для роботи під напругою до 600 В. Модель виконана у корпусі TO220FP із вставним типом монтажу та реалізує технологію MDmesh™.
- N-MOSFET (польовий, канал, що збагачується)
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Максимальний струм стоку: 26 А
- Опір у відкритому стані (Rds): 108 мОм
- Корпус: TO220FP, вставний монтаж
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 600 В та максимальний струм стоку 26 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 108 мОм. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 35 Вт.
Конструкція та монтажКомпонент виготовлений у корпусі TO220FP. Тип монтажу — вставний (THT). Використовується технологія MDmesh™.
КомплектаціяУ наборі поставляється 10 шт. транзисторів STF33N60M2. Полярність транзистора — уніполярна. Канал транзистора — збагачуваний. Заряд затвора становить 45,5 нКл.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
