
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 28 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Транзистор IGBT STGW30NC60KD від STMicroelectronics у корпусі TO247-3. Пристрій розрахований на максимальну напругу 600 В та струм колектора 28 А при потужності розсіювання 200 Вт.
Транзистор працює з максимально допустимою напругою колектор-емітер 600 В та витримує струм колектора до 28 А. Максимальна потужність розсіювання становить 200 Вт. Заряд затвора (gate charge) дорівнює 96 нКл, а допустима напруга затвор-емітер — ±20 В.
Конструкція та монтажКомпонент виконаний у корпусі TO247-3 з вставним типом монтажу. Вбудований антипаралельний діод інтегрований у структуру транзистора.
КомплектаціяУ наборі постачається 5 транзисторів.