
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 140 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW8NK80Z — це польовий транзистор з вбудованим каналом (wzbogacany) у корпусі TO247. Прилад має максимальну напругу стік-витік 800 В та струм стоку 3,9 А. У комплекті поставляється 10 штук.
Транзистор розрахований на високу напругу: максимально допустима напруга стік-витік становить 800 В, а напруга затвор-витік — 30 В. Максимальний струм стоку дорівнює 3,9 А. Опір у відкритому стані (Rds) складає 1500 mOm. Максимальна потужність розсіювання — 140 Вт.
Конструкція та монтажПрилад виготовлений за технологією SuperMesh™ у корпусі TO247. Це вставний тип монтажу. Транзистор є уніполярним (unipolarny) та має вбудований канал (wzbogacany).
КомплектаціяУ наборі знаходиться 10 транзисторів STW8NK80Z. Символ виробника: STW8NK80Z.