Транзистор IGBT модуль HUAJING HFGM100D12V1, 100 А, 1,2 кВ
Код: TM018754
В наявності
5 780 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 963 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Максимально допустимий струм колектора | 100 А |
|---|
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | V1 |
| Виробник | HUAJING |
| Технологія | PT |
IGBT модуль HUAJING HFGM100D12V1 — напівпровідниковий компонент у корпусі V1 з максимально допустимим струмом колектора 100 А та напругою 1,2 кВ.
- Максимальний струм колектора: 100 А
- Максимальна напруга: 1,2 кВ
- Топологія: напівмост IGBT
- Корпус: V1
- Напруга затвор-емітер: ±30 В
Модуль працює з напругою до 1,2 кВ (Urmax) та витримує струм колектора до 100 А. Напруга між затвором та емітером становить ±30 В. Технологія виготовлення — PT.
Конструкція та монтажКомпонент має топологію напівмоста IGBT та структуру «транзистор/транзистор». Механічне кріплення — прикручуване. Електричне з'єднання здійснюється через конектори FASTON або прикручуванням.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
