
| Максимальна потужність розсіювання | 600 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 220 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3.2 mOm |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | SOT227B |
| Виробник | DACO Semiconductor |
Одинарний силовий MOSFET-транзистор DACO Semiconductor DAMI360N150 у корпусі SOT227B. Характеризується напругою стік-витік 150 В та постійним струмом стіка 220 А.
Модуль працює з напругою стік-витік 150 В та постійним струмом стіка 220 А. Імпульсний струм стіка може сягати 1,2 кА. Опір у відкритому стані становить 3,2 мОм.
Теплові характеристики та монтажМаксимальна розсіювана потужність модуля — 600 Вт. Корпус SOT227B передбачає гвинтовий монтаж як для кріплення до основи, так і для електричного з'єднання. Напруга затвор-витік становить від -20 до 20 В.