
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 188 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1.1 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PowerFLAT 5x6 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STL260N4F7 — це польовий транзистор з каналом збагачення та максимально допустимим струмом стоку 120 А. Модель виконана в корпусі PowerFLAT 5x6 та має максимальну потужність розсіювання 188 Вт.
Транзистор працює з максимальною напругою стік-витік 40 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 120 А, а імпульсний струм може досягати 480 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 1.1 мОм.
Конструкція та монтажКомпонент має поверхневий тип монтажу та виконаний у корпусі PowerFLAT 5x6. Поляризація транзистора — уніполярна, тип каналу — збагачуваний. Заряд затвора становить 72 нКл.
Імпульсні характеристики та заряд затвораІмпульсний струм стоку (Idm) становить 480 А. Заряд затвора (Qg) дорівнює 72 нКл. У наборі поставляється 10 транзисторів STMicroelectronics STL260N4F7.