Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF24NM60N, 600V, 11A, TO220FP (10 шт.)
Код: TM114282
В наявності
4 040 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 673 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | MDmesh™ II |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF24NM60N — це напівпровідниковий прилад з технологією MDmesh™ II. Комплект із 10 штук.
- Тип: N-MOSFET з каналом, що збагачується
- Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
- Максимальний струм дрена: 11 А
- Потужність розсіювання: 30 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Комплектація: 10 транзисторів
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та максимальний струм дрена 11 А. Ці параметри визначають область застосування компонента.
Ефективне розсіювання теплаПотужність розсіювання становить 30 Вт, що вимагає належного теплового режиму. Корпус TO220FP з монтажем THT (через отвори).
Технологія MDmesh™ IIВикористання технології MDmesh™ II від STMicroelectronics.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
