
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6.5 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | STripFET™ II |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP80NF03L-04 — це польовий транзистор з каналом, збагаченим за технологією STripFET™ II. Прилад має максимальну напругу стік-витік 30 В, струм стоку 80 А та потужність розсіювання 300 Вт. У комплекті поставляється 20 одиниць у корпусі TO220-3.
Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 30 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 80 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 6,5 мОм. Максимальна потужність розсіювання приладу — 300 Вт.
Конструкція та монтажКомпонент виготовлений у корпусі TO220-3 з вставним типом монтажу. Це польовий транзистор з каналом, збагаченим за технологією STripFET™ II. Полярність приладу — уніполярна.
Ідентифікація та виробникВиробником компонента є компанія STMicroelectronics. Символ виробника (MPN): STP80NF03L-04.