Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD60NF55LT4, 55В, 42А, DPAK (набір 20 шт.)

Name: Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD60NF55LT4, 55В, 42А, DPAK (набір 20 шт.)
Brand: STMicroelectronics
SKU: TM020804
Price: 3570 UAH
Availability: InStock

Код: TM020804

В наявності

3 570 ₴

+5%

бонусів з карткою Rozetka

Продавець Iskra

100%

Доставка

Підписка на доставку Smart
Безкоштовно — у відділення Нової Пошти
Дізнатися більше
Нова Пошта

Оплата та гарантії

Безпечна оплата карткою
Без переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинами
Без переплат*, від 595 ₴ / міс.
Детальніше
Післяплата
Нова Пошта, Самовивіз

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD60NF55LT4, 55В, 42А, DPAK (набір 20 шт.) - фото 1 - id-p3243260112

Характеристики та опис

Основні

Виробник	STMicroelectronics
Максимальна потужність розсіювання	110 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік	15 В
Максимально допустима напруга стік-витік	55 В
Максимально допустимий струм стоку	42 А
Опір у відкритому стані (Rds)	17 mOm
Тип монтажу	Поверхневий
Тип транзистора	Польовий

Додаткові характеристики

Стан	Новий

Користувальницькі характеристики

Версія	ESD
Гарантійний термін	12 міс
Кількість у комплекті	20 шт.
Корпус	DPAK
Технологія	SuperMesh™

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD60NF55LT4 — це польовий транзистор з індукованим каналом у корпусі DPAK. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 55 В та струм стоку 42 А.

Тип транзистора: польовий N-MOSFET з індукованим каналом
Максимальна напруга стік-витік: 55 В
Максимальний струм стоку: 42 А
Потужність розсіювання: 110 Вт
Опір у відкритому стані (Rds): 17 мОм
Корпус: DPAK, тип монтажу: поверхневий
Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 55 В та максимально допустимий струм стоку 42 А. Максимальна потужність розсіювання становить 110 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 17 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена значенням 15 В.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений у поверхневому корпусі DPAK. Використовується технологія SuperMesh™. Транзистор є однополярним (unipolarny) з індукованим каналом (wzbogacany). Версія: ESD.

Комплектація

У наборі постачається 20 шт. транзисторів.

Схожі товари за характеристиками