Транзистор DACO Semiconductor DACMI160N1200, SiC, 1200 В, 110 А
Код: TM152424
В наявності
6 980 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 1163 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Максимальна потужність розсіювання | 580 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 110 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 20 mOm |
Додаткові характеристики
| Максимальна робоча температура | 150 град. |
|---|---|
| Стан | Новий |
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | SOT227B |
| Виробник | DACO Semiconductor |
| Робоча температура | -55–150 °C |
| Технологія | SiC |
Одиночний модуль транзистора DACO Semiconductor DACMI160N1200 на основі технології SiC. Характеризується максимально допустимою напругою 1200 В та максимальним струмом стоку 110 А у корпусі SOT227B.
- Струм стоку: 110 А
- Напруга затвор-витік: 20 В
- Потужність розсіювання: 580 Вт
- Опір у відкритому стані: 20 мОм
- Корпус: SOT227B
- Технологія: SiC
Модуль має максимальну напругу затвор-витік 20 В та опір у відкритому стані 20 мОм. Максимальна потужність розсіювання становить 580 Вт.
Конструкція та монтажТранзистор виконаний у корпусі SOT227B з прикручуваним типом монтажу як для механічного, так і для електричного кріплення. Структура напівпровідника — одиночний транзистор з уніполярною поляризацією.
Теплові характеристикиДіапазон робочих температур становить від -55 до 150 °C. Максимальна робоча температура становить 150 °C.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
