
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 20 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1200 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | MDmesh™ / / Plus |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF6N60M2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад із каналом збагачення, Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF6N60M2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад із каналом збагачення. Комплект із 20 одиниць у корпусі TO220FP.
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 600 В. Максимальний струм дрена становить 2,9 А, а потужність розсіювання — 20 Вт. Параметри відповідають навантаженням у відповідних ланцюгах.
Технологія MDmesh™ II PlusВикористання технології MDmesh™ II Plus забезпечує низький опір у провідному стані — всього 1,2 Ом. Опір у провідному стані 1,2 Ом. Версія ESD.
Зручний монтаж THTКомпонент виконаний у корпусі TO220FP для вивідного монтажу (THT). Монтаж: THT (вивідний). Кількість у комплекті: 20 шт.