Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD35NF06LT4, 60В, 35А, DPAK набір 20 шт.
Код: TM232656
В наявності
3 930 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 655 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 80 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 35 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 17 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | STripFET™ II |
Транзистор N-MOSFET STripFET™ II від STMicroelectronics у корпусі DPAK. Модель STD35NF06LT4 розрахована на максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 35 А при потужності розсіювання 80 Вт.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Максимальний струм стоку: 35 А
- Потужність розсіювання: 80 Вт
- Опір у відкритому стані: 17 мОм
- Корпус: DPAK (поверхневий монтаж)
- Технологія: STripFET™ II
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Максимально допустима напруга стік-витік становить 60 В, а напруга затвор-витік — 16 В. Максимальний струм стоку дорівнює 35 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 17 мОм.
Технологія та корпусТранзистор виготовлений за технологією STripFET™ II та має польовий тип з каналом типу wzbogacany (збагачений). Полярність — уніполярна. Корпус DPAK призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація та монтажУ комплекті поставляється 20 шт. транзисторів.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
