
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 450 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF12N60M2 — це польовий транзистор з ізольованим затвором у корпусі TO220FP. Комплект складається з 20 одиниць, призначених для монтажу у вставному виконанні.
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В та струм стоку 9 А. Максимальна потужність розсіювання становить 25 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 450 мОм.
Конструкція та монтажКомпонент виконаний у корпусі TO220FP. Тип монтажу — вставний. Полярність транзистора — уніполярна, канал збагачуваний (wzbogacany). Максимально допустима напруга затвор-витік становить 25 В, а заряд затвора — 16 нКл. Імпульсний струм стоку може досягати 36 А.