
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 900 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.65 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP6NK90ZFP — це польовий транзистор з каналом n-типу в корпусі TO220FP. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 900 В та струм стоку 3,65 А. У комплекті поставляється 10 одиниць.
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 900 В, що визначає його робочий діапазон. Максимально допустимий струм стоку становить 3,65 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 2000 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 30 Вт.
Конструкція та монтажКомпонент виготовлений у корпусі TO220FP з вставним типом монтажу. Це однополярний польовий транзистор з каналом n-типу (wzbogacany). Технологія виробництва — SuperMesh™. Версія компонента позначена як ESD.
КомплектаціяУ наборі 10 транзисторів STP6NK90ZFP. Символ виробника: STP6NK90ZFP. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 30 В.