Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD13NM60N, 600В, 6,93А, DPAK набір 10 шт.
Код: TM020792
В наявності
3 270 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 545 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 90 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6.93 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 360 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD13NM60N — це уніполярний компонент у корпусі DPAK для монтажу на поверхню (SMD). Пристрій розрахований на напругу 600 В та струм 6,93 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 6,93 А
- Потужність розсіювання: 90 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Транзистор витримує напругу дрена-джерела до 600 В. Максимальний струм дрена становить 6,93 А. Напруга затвор-джерело становить ±25 В.
Потужність та опірПотужність розсіювання становить 90 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 0,36 Ом.
Корпус та монтажКомпонент виконаний у корпусі DPAK. Тип монтажу — SMD (поверхневий).
КомплектаціяТовар поставляється набором із 10 штук.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
