
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 380 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD13N60M2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі DPAK. Модель характеризується робочою напругою 600 В та струмом стоку 7 А.
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В. Максимальний постійний струм стоку становить 7 А. Потужність розсіювання 110 Вт.
Технологія SuperMesh™ та опірПрилад виготовлений за технологією SuperMesh™. Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 0,38 Ом. Максимальна напруга затвор-витік обмежена ±25 В.
Зручний монтаж та захист ESDКорпус DPAK є поверхневим (SMD). Транзистор має вбудований захист від електростатичного розряду (ESD).
КомплектаціяТовар поставляється набором із 20 транзисторів.