Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB30NF10T4, 100 В, 25 А, D2PAK (20 шт.)
Код: TM020784
В наявності
3 890 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 648 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 115 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 25 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 45 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB30NF10T4 — польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі D2PAK. Комплект складається з 20 одиниць. Основні параметри: напруга стік-витік 100 В, струм стоку 25 А, потужність розсіювання 115 Вт.
- Тип транзистора: польовий N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Максимальний струм стоку: 25 А
- Потужність розсіювання: 115 Вт
- Корпус: D2PAK, поверхневий монтаж
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Транзистор є уніполярним з каналом збагачення. Максимально допустима напруга стік-витік становить 100 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний струм стоку дорівнює 25 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 45 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 115 Вт.
Конструкція та монтажТранзистор виконаний у поверхневому монтажі у корпусі D2PAK. Використовується технологія SuperMesh™.
Комплектація та версіяУ наборі 20 шт. транзисторів.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
