Транзистор IGBT STMicroelectronics STGP5H60DF, 600В, 5А, TO220AB (набір 20 шт.)
Код: TM156876
В наявності
3 160 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 527 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 88 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 20 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGP5H60DF у корпусі TO220AB IGBT-транзистор. Комплект із 20 одиниць. Модель поєднує високу напругу колектора-емітера 600 В та струм 5 А,
- Напруга колектор-емітер: 600 В
- Струм колектора: 5 А (імпульсний до 20 А)
- Розсіювана потужність: 88 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Інтегрований антипаралельний діод
- Комплект: 20 шт.
Транзистор розрахований на робочу напругу колектор-емітер 600 В, Номінальний струм колектора становить 5 А, а імпульсний струм може досягати 20 А,
Ефективне відведення теплаМаксимальна розсіювана потужність транзистора становить 88 Вт. Корпус TO220AB з монтажем THT.
Інтегрований діод та керуванняУ конструкції транзистора передбачено інтегрований антипаралельний діод, Напруга керування затвором-емітером становить ±20 В, а заряд затвора — 38 нКл.
Застосування в силовій електроніціТранзистор IGBT STGP5H60DF з напругою 600 В та струмом 5 А. Інтегрований антипаралельний діод.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
