Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD18N60M6, 600В, 13А, DPAK набір 20 шт.
Код: TM156862
В наявності
3 930 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 655 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 13 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 230 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD18N60M6 — це уніполярний компонент у корпусі DPAK, з напругою дрена-джерела 600 В та струмом дрена 13 А.
- Напруга дрена-джерела 600 В
- Струм дрена 13 А (імпульсний 38 А)
- Потужність розсіювання 110 Вт
- Опір у стані провідності 0,23 Ом
- Корпус DPAK, монтаж SMD
- Комплект із 20 транзисторів
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В. Номінальний струм дрена становить 13 А, а імпульсний струм може досягати 38 А.
Ефективне розсіювання теплаПотужність розсіювання 110 Вт дозволяє компоненту розсіювати до 110 Вт при належному охолодженні.
Зручний монтаж SMDКорпус DPAK та тип монтажу SMD Тип монтажу SMD.
Низький опір у відкритому станіОпір у стані провідності становить 0,23 Ом.
КомплектаціяУ комплекті постачається 20 транзисторів STD18N60M6.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
