Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF10NM60N, 600В, 10А, TO220FP (набір 10 шт.)
Код: TM156867
В наявності
3 510 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 585 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 10 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 550 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF10NM60N — це уніполярний компонент із напругою дрена-джерела 600 В та струмом дрена 10 А. Силовий N-MOSFET транзистор. Тип каналу — збагачуваний, полярність — уніполярна.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 10 А (імпульсний: 32 А)
- Потужність розсіювання: 25 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Набір: 10 транзисторів
Транзистор витримує напругу дрена-джерела до 600 В. Номінальний струм дрена становить 10 А, а імпульсний струм (Idm) досягає 32 А.
Корпус та монтажПотужність розсіювання становить 25 Вт. Корпус TO220FP, монтаж вставной (THT).
Комплектація та заряд затвораТовар поставляється набором із 10 штук. Заряд затвора (Qg) становить 19 нКл.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
