
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Транзистор IGBT STGF10H60DF від STMicroelectronics у корпусі TO220FP. Максимальна напруга колектор-емітер становить 600 В, максимальний струм колектора — 10 А.
Максимальна напруга колектор-емітер становить 600 В. Максимальний постійний струм колектора — 10 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 30 Вт.
Конструкція та монтажТранзистор виконаний у корпусі TO220FP з вставним типом монтажу. Прилад має інтегрований антипаралельний діод. Зарядка затвора становить 57 нКл, а максимально допустима напруга затвор-емітер — ±20 В.
КомплектаціяУ комплекті поставляється 20 транзисторів.