
| Максимальна потужність розсіювання | 800 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 210 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6 mOm |
| Максимальна робоча температура | 150 град. |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | SOT227B |
| Виробник | DACO Semiconductor |
| Робоча температура | -55–150 °C |
Модуль DACO Semiconductor DAMI280N200 — це силовий MOSFET-транзистор у корпусі SOT227B. Пристрій має номінальний струм стоку 210 А при напрузі стік-витік 200 В.
Максимально допустимий струм стоку: 210 А.
Імпульсний струм стоку: 850 А.
Максимально допустима напруга стік-витік: 200 В.
Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 В.
Максимальна потужність розсіювання: 800 Вт.
Механічний монтаж: прикручуваний.
Монтаж електричний: прикручуваний.
Опір у відкритому стані (Rds): 6 мОм.
Робоча температураРобоча температура: від -55 до +150 °C.
СтруктураСтруктура напівпровідника: одиночний транзистор.
Поляризація: уніполярний.