Транзистор IGBT модуль HUAJING HFGM150D12V3, 350 А, 1,2 кВ
Код: TM018755
В наявності
8 230 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 1372 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Максимально допустимий струм колектора | 350 А |
|---|
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | V3 62MM |
| Виробник | HUAJING |
| Технологія | PT |
IGBT модуль HUAJING HFGM150D12V3 — напівпровідниковий компонент у корпусі V3 62MM з максимально допустимим струмом колектора 350 А та зворотною напругою 1,2 кВ.
- Максимальний струм колектора: 350 А
- Зворотна напруга: 1,2 кВ
- Напруга затвор-емітер: ±30 В
- Корпус: V3 62MM
- Технологія: PT
- Монтаж: конектори FASTON, прикручування
Модуль працює зі зворотною напругою до 1,2 кВ та витримує максимальний струм колектора 350 А. Напруга між затвором та емітером становить ±30 В. Технологія виготовлення — PT.
Конструкція та монтажСтруктура напівпровідника реалізована за схемою «транзистор/транзистор» у топології напівмосту IGBT. Електричний монтаж виконується за допомогою конекторів FASTON та прикручуванням. Механічне кріплення модуля також здійснюється прикручуванням.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
