Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW3N150, 1500 В, 1,6 А, TO247 (5 шт.)
Код: TM156964
В наявності
3 000 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 500 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 140 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | PowerMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW3N150 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на високу напругу. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO247 для монтажу на плату (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 1500 В (1,5 кВ)
- Струм дрена: 1,6 А
- Розсіювана потужність: 140 Вт
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Комплектація: 5 шт.
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1500 В (1,5 кВ) та максимальний струм дрена 1,6 А. Компонент розрахований на високу напругу.
Теплові характеристикиМаксимальна розсіювана потужність становить 140 Вт,
Напруга затвора та опір у провідному станіДопустима напруга затвор-джерело становить ±30 В, що визначає граничні умови керування транзистором. Опір у провідному стані дорівнює 9 Ом, Компонент виготовлений за технологією PowerMesh™, Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори),
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
