Транзистор IGBT модуль STARPOWER GD10PJX65F1S, 650V, 10A, корпус F1.1
Код: TM153532
В наявності
3 350 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 558 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Основні
| Тип монтажу | Вставний |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | F1.1 |
| Виробник | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
IGBT модуль STARPOWER GD10PJX65F1S — напівпровідниковий компонент. Поєднує IGBT транзистор та діод у корпусі F1.1.
- Максимальна зворотна напруга 650 В
- Номінальний струм колектора 10 А
- Максимально допустимий струм колектора 20 А
- Корпус F1.1
- Технологія Trench FS IGBT
- Вбудований NTC термістор
Модуль використовує технологію Trench FS IGBT.
Електричні параметриСтрум колектора (Ic): 10 А. Максимально допустимий струм колектора: 20 А. Максимальна зворотна напруга: 650 В.
МонтажТип монтажу: вставний (plug-in).
Топологія та складТопологія: boost chopper, трифазний діодний міст, трифазний IGBT міст з виходом OE. Наявний NTC термістор.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
