Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4N150, 1500 В, 2,5 А, TO220-3 (5 шт.)
Код: TM078835
В наявності
2 830 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 472 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 160 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | PowerMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4N150 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи з високою напругою. Комплект складається з 5 елементів у корпусі TO220-3 для монтажу на друковану плату.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 1500 В
- Струм дрена: 2,5 А
- Розсіювана потужність: 160 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Опір у стані провідності: 7 Ом
- Комплектація: 5 шт.
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1500 В (1,5 кВ) та струм дрена 2,5 А. Максимальна розсіювана потужність становить 160 Вт.
Технологія PowerMesh™Прилад виготовлений за технологією PowerMesh™. Опір у стані провідності становить 7 Ом.
Зручний монтаж та комплектаціяКорпус TO220-3 призначений для вивідного монтажу (THT). У комплекті постачається 5 транзисторів.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
