Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP12NK80Z, 800В, 6,6А, TO220-3, набір 10 шт.
Код: TM020910
В наявності
3 350 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 558 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 190 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 750 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | SuperMesh™ |
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET STMicroelectronics STP12NK80Z у корпусі TO220-3. Компоненти мають напругу дрена-джерела 800 В та струм дрена 6,6 А.
- Напруга дрена-джерела до 800 В
- Струм дрена 6,6 А
- Потужність розсіювання 190 Вт
- Корпус TO220-3 для монтажу THT
- Технологія SuperMesh™ та захист ESD
- Набір із 10 транзисторів
Напруга дрена-джерела: 800 В. Струм дрена: 6,6 А.
ПотужністьПотужність розсіювання: 190 Вт.
Технологія та версіяТехнологія: SuperMesh™. Версія: ESD.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
