
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 35 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 18 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB55NF06T4 — це польовий транзистор з каналом, що збагачується, у корпусі D2PAK. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 35 А. У комплекті поставляється 10 одиниць.
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та напругу затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 35 А, а потужність розсіювання — 110 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 18 мОм.
Конструкція та монтажКомпонент виконаний у поверхневому монтажі (SMD) у корпусі D2PAK. Транзистор є уніполярним польовим приладом з каналом, що збагачується.
Технологія та версіяПристрій виготовлено за технологією SuperMesh™ та має версію ESD.
У пакуванні міститься 10 транзисторів STB55NF06T4.