
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 9.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 230 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | MDmesh™ M6 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF22N60M6 — це польовий транзистор із технологією MDmesh™ M6 у корпусі TO220FP. Призначений для роботи з напругою до 600 В та струмом стоку 9,5 А.
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 600 В та максимально допустимий струм стоку 9,5 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 230 мОм. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 30 Вт, а напруга затвор-витік обмежена 25 В.
Конструкція та монтажВиріб виконаний у корпусі TO220FP із вставним типом монтажу. Це однополярний транзистор із каналом типу «wzbogacany» (збагачений). Використовується технологія MDmesh™ M6.
КомплектаціяУ комплекті поставляється 10 шт. транзисторів. Символ виробника — STF22N60M6. Максимальний імпульсний струм стоку (Idm) становить 42 А, а заряд затвора — 20 нКл.