3Л115А

Випромінювальні діоди арсенид-галієві мезаепітаксальні в захисній пластмасовій оболонці. Призначені для роботи як джерела інфрачервоного випромінювання завдовжки 0,95 мкм. Тип діода вказується на групову тарі. Позитивне виведення зазначається білою точкою.

Маса діода 0,2 г

Електричні та випромінювальні параметри

Повна потужність випромінювання за Iпр = 50 мА, не менш ніж	10 мВт
Постійна пряма напруга за Iпр = 50 мА, не більш ніж	2 В
Диференціальний опір під час Iпр = 50 мА, не більш ніж	3 Ом
Довжина хвилі випромінювання в максимумі спектральної характеристики* за Iпр = 50 мА	Приблизно 0,95 мкм
Ширина спектра випромінювання* на рівні 0,5 за Iпр = 50 мА, не більш ніж	0,05 мкм
Ширина діаграми спрямованості* на рівні 0,5, не більш ніж	90 град
Коефіцієнт корисної дії*, не менш ніж	10 %
Параметри імпульсу випромінювання*:
час увімкнення, не більш ніж	300 нс
час вимкнення, не більш ніж	500 нс
Постійний зворотний струм за Uoбр = 4 В, не більш ніж	100 мкА

Граничні експлуатаційні дані

Постійний прямий струм АЛ115А за температури від 233 до 358 К і ЗЛ115А за температури від 213 до 358 К	50 мА
Постійна зворотна напруга	4 В
Розсіювана потужність	100 мВт
Температура довкілля:
АЛ115А	Від 233 до 358 К
3Л115А	Від 213 до 358 К