
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
|---|
2Д509А
Діоди 2Д509А кремнієві, епітаксиально-планарні, імпульсні.
Призначені для роботи в імпульсних пристроях спеціального призначення.
Випускаються в металосткальному корпусі з різноспрямованими гнучкими виведеннями.
Для позначення типу та полярності діодів використовуються умовне маркування колірним кодом:
— синє широке та вузьке кільце з боку катодного виведення та синя точка.
Тип корпусу: КД-3.
Маса діода не більш ніж 0,15 г.
Кліматичне виготовлення: «УХЛ».
Технічні умови: ТТ3.362.077ТУ
Гарантійний термін зберігання — 25 років від дня виготовлення.
Основні технічні характеристики діода 2Д509А:
• Uoбp max — Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В;
• Inp max — Максимальний прямий струм: 100 мА;
• Unp — Постійна пряма напруга: не більш ніж 1,1 В за Inp 0,1 А;
• Ioбp — Постійний зворотний струм: не більш ніж 5 мкА за Uoбp 50 В;
• tвoc обр — Час зворотного відновлення: 0,004 мкс;
• Сд — Загальна місткість: 4 ПФ